碳化硅捣打料

碳化硅捣打料采用良好SiC为主要原料，具有导热率高，线膨胀系数小，抗侵蚀，耐急冷急热性能好和强度高等特性。碳化硅捣打料在热风炉，加热炉，电阻炉等热工设备使用节能效果明显，寿命长，效果良好。

◆ 耐火极限高
◆ 高温荷软高
◆ 抗渣侵蚀强
◆ 热震稳定性

产品优势

碳化硅捣打料

以碳化硅（SiC）为主要骨料与粉料，常复合石墨、电煅烧无烟煤、电熔刚玉／锆刚玉、氮化硅等，以磷酸（盐）、树脂、纯铝酸钙水泥或复合结合剂，配超微粉与抗氧化剂、促凝剂制成的半干状散状不定形耐火材料，采用人工或气动／机械强力捣打（风镐）分层施工，在加热作用下硬化成型。SiC 含量常见 30%~90%，主流牌号为 SC30／SC50／SC-75／SC-85／SC-90。

一、理化指标（典型值）

项目	SC30	SC50	SC-75/GSJ-75	SC-85/GSJ-85	SC-90
SiC %，≥	30	50	75~77	85~86	90
Al₂O₃ %	—	—	12~20	12	—
Fe₂O₃ %，≤	—	—	0.12~0.2	0.1~0.13	—
体积密度 g/cm³，≥	2.5	2.6	2.6~2.66	2.6~2.64	3.0~3.2
显气孔率 %，≤	18	18	15	12	10
耐压强度 MPa（110℃×24h），≥	60	80	74~80	75~80	≥120
耐压强度 MPa（1100~1200℃×3h），≥	100	120	93~100	104~110	—
抗折强度 MPa（110℃×24h），≥	12		10.7~11	11.2	—
抗折强度 MPa（1100℃×3h），≥	15		15.4	15.8	—
加热永久线变化 %（1100~1400℃×3h）	±0.3	±0.2	−0.04	−0.05	±0.2~0.3
导热系数 W/(m·K)	15~25（1000℃ 实测约 4.5~6.5）
常温磨损量 cm³（ASTM C704），≤	6	4	5.1	5.0	—
热震稳定性（1100℃水冷），次	≥30	≥35	≥25	≥30	≥40
耐火度 ℃	1750~1790	≥1790	≥1790	≥1790	≥1790
最高使用温度 ℃	1600~1650	1650	1650~1700	1700	>1650（还原气氛可达 2200）

二、产品优势

导热率高、热效率好：SiC 热导率远高于常规耐火材料（约 15~25 W/(m·K)，是普通捣打料的 2~3 倍），可快速传导与散出热量，降低热应力，用于水冷壁／冷却壁部位可显著提升热效率、降低炉壳温度（工程案例中炉壳温度由 180℃ 降至 95℃）。
耐磨抗冲刷极强：莫氏硬度 9.2 级，高温耐磨性优异，磨损量 ≤4~6 cm³，耐固体颗粒、粉尘与高速气流、熔体冲刷。
抗侵蚀、抗渗透：化学惰性强，耐酸、碱熔渣及金属熔体（Al、Cu、Zn 等）侵蚀；致密捣打结构阻挡熔融金属与熔渣渗透，并能在衬体表面挂渣形成渣膜保护层，减弱碱性物侵蚀。
热膨胀系数小、抗热震好：SiC 线膨胀系数约 4.4~4.5×10⁻⁶/℃，仅为普通材料的一半左右，急冷急热下不易开裂剥落，热震循环可达 30~40 次。
体积稳定、高温强度高：重烧线变化极小（±0.2%~0.3%），1100~1200℃ 烧后耐压可达 100~120 MPa，高温下不软化变形。
施工灵活、无需模具：可直接捣打填充异形、狭窄、深腔部位（如冷却设备与砌体间隙、感应炉线圈间隙、出铁口周边），无需支模；支持分层捣打（每层 ≤100 mm），也可实现免烘烤、在线热态快速修补，大幅缩短停机时间。
使用寿命长、综合经济性好：在矿热炉等场景中，炉衬寿命可由 8 个月延长至 28 个月，出铁口寿命由 15 天延长至 90 天，虽初次投资较高但综合成本更低。

三、应用领域

冶金与矿热炉：高炉炉底与炉身、冷却壁与砌体之间的间隙填充、出铁口与出铁沟（非贮铁式造衬及快速修补，可用免烘烤型）、矿热炉（硅铁、电石、锰铁）整体内衬与出铁口套、热风炉、加热炉、电阻炉。
有色冶炼：铝电解槽侧壁与流槽系统（抗铝液与电解质侵蚀）、熔铝炉、熔铜／化铜炉、金属溶液保温炉、有色金属流槽、锌冶炼。
石化与化工：粉煤／水煤浆气化炉炉膛耐磨衬里、壁箱与流体格栅衬里、输气管道衬里、高温反应釜与管道系统。
电力与环保：循环流化床（CFB）锅炉、旋风炉、沸腾炉、锅炉水冷壁、垃圾焚烧炉与危废焚烧炉燃烧室及烟气管道等易磨损部位。
其他：感应炉（无芯／有芯）线圈间隙与炉衬、陶瓷窑窑具与棚板支架、新能源电池材料烧结炉。

施工要点：钢壳除锈至 Sa2.5 级，锚固件间距 ≤300 mm；分层铺料厚度 ≤100 mm，气动捣打压强 ≥0.6 MPa；常温养护约 72 h，按 ≤15℃/h 的速率阶梯升温烘烤（如 300℃ 保温 24 h）；粒度宜采用粗中细三级配比以保证捣打密实度。此外，普通碳化硅在 800℃ 以上易氧化，高温氧化工况应选用添加抗氧化剂（金属硅、Si₃N₄ 等）的抗氧型产品，可将氧化速率降低 50% 以上、使用温度提升至 1400℃ 以上。